1、产品技术、工艺改善及优化;
2、分析、处理产品生产过程中出现的质量和技术疑难问题;
3、模拟并分析晶体材料,提高晶体质量及良率,重点长期需要解决的课题:晶体生长(温场控制,缺陷研究)、衬底表面加工(研磨、抛光,清洗);
4、完善研发技术管理体系,逐步培养研发技术人才;协助研发技术部总工程师开展其他重点技术工作。
1、熟悉半导体材料特性,熟练使用软件模拟并分析晶体材料,了解晶体材料测试方式并分析结果;2、良好的中英文撰写能力以及表达能力;
3、较强的市场调研能力,了解产业化进程;
4、较好的语言表达能力及技术文档撰写能力;
5、较强的沟通和组织协调能力;
6、具有较强的吃苦耐劳精神和良好的团队合作及敬业精神,对产品研发、工艺改善工作充满热情,有志在半导体行业发展;
7、半导体、材料、材料物理、材料与化工、物理学等相关专业。
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珠海鼎泰芯源晶体有限公司成立于2017年3月,位于广东省珠海市高新技术产业区金鼎工业园。初期投资7600万元,累计投资超过一亿元,占地5600平方米。
公司致力于以磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶及衬底材料的国产化事业,该产品98%市场被国外垄断,属于典型的“卡脖子”项目。公司承担2项国家级重点课题,下游应用涉及军工、通信、航空航天、光伏等国家战略产业,亟需解决自主可控与供应链安全问题。
公司产品为开盒即用磷化铟衬底以及锑化镓衬底,磷化铟衬底主要应用于光纤通信、光探测器、红外光学、高频毫米波通信等领域。锑化镓衬底主要应用于红外探测领域的电子元器件制备,是国家重点扶持的战略新兴产业之一。
经过5年的艰辛创业,目前公司实现了 InP 及GaSb单晶及衬底材料100%国产化率,并已顺利通过下游客户的产品国产化替代验证,国内和国际市场份额逐年提升,居国内行业领先地位。