1、负责功率器件IGBT、MOSFET、Super Junction、SiC、GaN及IPM模块、PM模块的技术开发工作;
2、负责功率器件或模块的仿真、版图设计与工艺制程开发设计;
3、负责功率器件或模块产品应用方案开发以及制定相关测试方案,并负责测试方案的实施和数据分析;
4、负责功率器件或模块产品的可靠性方案制定以及质控体系管理;
5、探索前沿新技术,如SiC,GaN等的研究以及下一代功率器件或模块产品的开发预研。
1、本科及以上学历,微电子,物理学、半导体器件、材料物理、材料科学、流体力学、通信技术、电子科学技术、机械自动化等相关专业;
2、具有扎实的功率半导体器件物理基础(如IGBT、FRD、MOSFET等),有IPM模块驱动芯片、电机驱动芯片或高压功率集成电路开发经验优先;
3、熟练掌握半导体工艺和器件仿真软件(如Sentaurus、Silvaco、MEDICI等), 熟悉Cadence或Tanner EDA或Mentor Graphics等版图工具软件,熟练使用AutoCAD、Solidworks、ANSYS、Moldflow等设计软件进行封装结构及模块仿真;
4、了解晶圆制程和封装制程工艺、半导体器件测试和功率器件应用、先进封装材料等相关知识。
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珠海格力电器股份有限公司成立于1991年,1996年11月在深交所挂牌上市。现已发展成为多元化、科技型的全球工业制造集团,产业覆盖家用消费品和工业装备两大领域,产品远销190多个国家和地区,9次入围《福布斯》杂志“世界最佳雇主”榜单世界百强。
公司现有近8万名员工,在国内外建有77个生产基地,同时建有6个再生资源基地,覆盖了从上游生产到下游回收全产业链,实现了绿色、循环、可持续发展。 公司现有16个研究院、152个研究所、1411个实验室、1个院士工作站、1个博士后工作站、1个广东省博士工作站,拥有国家重点实验室、国家工程技术研究中心、国家级工业设计中心、国家认定企业技术中心、机器人工程技术研发中心各1个,同时成为国家通报咨询中心制冷设备研究评议基地。经过长期沉淀积累,目前累计申请专利超11万项,拥有39项“国际领先”技术,累计获得国家科技进步奖2项、国家技术发明奖2项、中国专利奖金奖3项(包含“格力钛”1项)、中国外观设计金奖3项、日内瓦发明展金奖14项、纽伦堡发明展金奖9项。